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深圳市奥迪微半导体有限公司 > 技术资料 > TVS管术语表

TVS管术语表

发布时间: 2020/4/26 14:27:40 | 270 次阅读

    电撬设备
    该类抑制器具有“电撬”特性,通常与4层NPNP硅控双极装置或等离子气体/GDT装置有关。 一旦达到阈值或转折电压,则电流的进一步增加将导致设备快速导电,其正向电压降仅为几伏。 实质上,线路在发生瞬态现象时将处于暂时的“短路”状态。
    工作温度范围
    设备应用电路的和环境工作温度。 工作温度不能对邻近元件造成影响,这是设计人员必须考虑的一个参数。
    电容
    允许电路元件储存电荷的电路元件属性。 在电路保护中,断态电容通常是在频率1 MHz、偏压2 V下测得的。
    反向断态电压(VR)
    对单向瞬态抑制二极管而言,在无大电流的情况下,这是可用于闭锁方向的峰值电压。 对双向瞬态而言,它适应于任一方向。 其含义与断态电压和工作电压相同。
    击穿电压(VBR)
    在指定的直流测试电流下测得的击穿电压,通常为1mA。 通常会说明与值。
    峰值脉冲电流(IPP)
    可重复施加的脉冲电流。 若经说明,通常可以是10x1000μs双指数波形,也可以是8x20μs。
    箝位电压(VC 或VCI)
    在出现峰值脉冲电流时,可从保护器上测得的电压。
    峰值脉冲功率(PPP)
    以瓦或千瓦表示,1ms指数瞬态值,是IPP和VCL的乘积。